加熱模塊：精準、均勻、安全控溫，溫度精度優于0.1K，最高溫度1300℃。通過精確熱場模擬及芯片設計，實現無漂移加熱過程，可在加熱升溫過程中實現實時觀測成像。
電學（偏壓）模塊：實現電熱外場耦合反應。通過電極施加電場，對單個納米結構進行外場控制并進行電學性質的測量。通過電學控制器對樣品施加偏壓，配合電學系統控制程序用于保證微反應系統穩定可靠運行的最基本要求，滿足每一臺系統設備的微環境—電流電壓添加及實時測量，以及實現遠程智能反應條件管理控制功能。該控制程序非常適合各種現代電子器件的電流、電壓特性分析和功能測試：功率半導體材料、功率器件、電化學、能源生產、高效能源消耗等。溫度高于800℃亦可同時進行加熱和電學實驗，且保持穩定。
