透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨溫度、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

    • 產(chǎn)品型號(hào):
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2023-12-27
    • 訪  問(wèn)  量: 7097

    詳細(xì)介紹


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    我們的優(yōu)勢(shì)

    力學(xué)性能

    1.高精度壓電陶瓷驅(qū)動(dòng),納米級(jí)別精度數(shù)字化精確定位。

    2.實(shí)現(xiàn)1000℃加熱條件下壓縮、拉伸、彎曲等微觀力學(xué)性能測(cè)試。

    3.nN級(jí)力學(xué)測(cè)量噪音。

    4.具備連續(xù)的載荷-位移-時(shí)間數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)自動(dòng)收集功能。

    5.具備恒定載荷、恒定位移、循環(huán)加載控制功能,適用于材料的蠕變特性、應(yīng)力松弛、疲勞性能研究。


    優(yōu)異的熱學(xué)性能

    1.高精密紅外測(cè)溫校正,微米級(jí)高分辨熱場(chǎng)測(cè)量及校準(zhǔn),確保溫度的準(zhǔn)確性。

    2.超高頻控溫方式,排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響,測(cè)量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。

    3.采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料,其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系,加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測(cè)區(qū)域,升溫降溫速度快,熱場(chǎng)穩(wěn)定且均勻,穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.1℃。

    4.采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±0.01 ℃。

    5.多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì),控制加熱過(guò)程熱擴(kuò)散,極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移,確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察。


    智能化軟件

    1.人機(jī)分離,軟件遠(yuǎn)程控制納米探針運(yùn)動(dòng),自動(dòng)測(cè)量載荷-位移數(shù)據(jù)。

    2.自定義程序升溫曲線。可定義10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等,同時(shí)可手動(dòng)控制目標(biāo)溫度及時(shí)間,在程序升溫過(guò)程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫,可即時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)方案,提升實(shí)驗(yàn)效率。

    3.內(nèi)置絕對(duì)溫標(biāo)校準(zhǔn)程序,每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化,重新進(jìn)行曲線擬合和校正,確保測(cè)量溫度精確性,保證高溫實(shí)驗(yàn)的重現(xiàn)性及可靠性。



    基本參數(shù)


    類別項(xiàng)目參數(shù)
    基本參數(shù)桿體材質(zhì)高強(qiáng)度鈦合金
    控制方式高精度壓電陶瓷
    傾轉(zhuǎn)角α≥±20°,傾轉(zhuǎn)分辨率<0.1°(實(shí)際范圍取決于透射電鏡和極靴型號(hào))
    適用電鏡Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi
    適用極靴ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP
    (HR)TEM/STEM支持
    (HR)EDS/EELS/SAED支持









    應(yīng)用案例





    600°C高溫下銅納米柱力學(xué)壓縮實(shí)驗(yàn)

    以形狀尺寸微小或操作尺度極小為特征的微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)越來(lái)越受到人們的高度重視 , 對(duì)于尺度在 100μm 量級(jí)以下的樣品 , 會(huì)給常規(guī)的拉伸和壓縮試驗(yàn)帶來(lái)一系列的困難。納米壓縮實(shí)驗(yàn) , 由于在材料表面局部體積內(nèi)只產(chǎn)生很小的壓力 , 正逐漸成為微 / 納米尺度力學(xué)特性測(cè)量的主要工作方式。因此 , 開展微納米尺度下材料變形行為的實(shí)驗(yàn)研究十分必要。為了研究單晶面心立方材料的微納米尺度下變形行為 , 以納米壓縮實(shí)驗(yàn)為主要手段 , 分析了銅納米柱初始塑性變形行為和晶體缺陷對(duì)單晶銅初始塑性變形的影響。結(jié)果表明銅柱在納米壓縮過(guò)程中表現(xiàn)出更大程度的彈性變形。同時(shí)對(duì)壓縮周圍材料發(fā)生凸起的原因和產(chǎn)生的影響進(jìn)行了分析 , 認(rèn)為銅納米柱壓縮時(shí)周圍材料的凸起將導(dǎo)致納米硬度和測(cè)量的彈性模量值偏大。為了研究表面形貌的不均勻性對(duì)銅納米柱初始塑性變形行為的影響 , 通過(guò)加熱的方法 , 在銅納米柱表面制備得到納米級(jí)的表面缺陷 , 并對(duì)表面缺陷的納米壓縮實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析 , 結(jié)果表明表面缺陷的存在會(huì)極大影響銅納米柱初始塑性變形。通過(guò)透射電子顯微鏡 ,銅納米柱壓縮點(diǎn)周圍的位錯(cuò)形態(tài)進(jìn)行了觀察 , 除了觀察到納米壓縮周圍生成的位錯(cuò) , 還發(fā)現(xiàn)有層錯(cuò)、不全位錯(cuò)及位錯(cuò)環(huán)的共存。表明銅納米柱的初始塑性變形與位錯(cuò)的發(fā)生有密切的聯(lián)系。



















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