透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)液體薄層或納米電池系統(tǒng)施加電信號(hào)等,結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)電極、電解液及其界面在工況下的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

    • 產(chǎn)品型號(hào):
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2023-12-27
    • 訪  問(wèn)  量: 8442

    詳細(xì)介紹



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    我們的優(yōu)勢(shì)

    業(yè)界最高分辨率

    1.MEMS加工工藝,芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10nm

    2.芯片封裝采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹(shù)脂外封雙保險(xiǎn)方式,使芯片間的夾層最薄僅約100~200nm,超薄夾層大幅減少對(duì)電子束的干擾,可清晰觀察樣品的原子排列情況,液相環(huán)境可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨。

    3.經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的芯片視窗形狀,可避免氮化硅膜鼓起導(dǎo)致液層增厚而影響分辨率。


    高安全性

    1.市面常見(jiàn)的其他品牌液體樣品桿,由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約,只能通過(guò)液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域,有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道,芯片觀察窗里并無(wú)真實(shí)流量流速控制。

    2.采用納流控技術(shù),通過(guò)壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制,實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送,原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量?jī)H有微升級(jí)別,有效保證電鏡安全。

    3.采用高分子膜面接觸密封技術(shù),相比于o圈密封,增大了密封接觸面積,有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

    4.采用超高溫鍍膜技術(shù),芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。


    多場(chǎng)耦合技術(shù)

    可在液相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合


    智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

    1.人機(jī)分離,軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件,全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù),便于總結(jié)與回顧。

    2.全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備,協(xié)助人工操作,提高實(shí)驗(yàn)效率。


    團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)

    1.團(tuán)隊(duì)帶頭人在原位液相TEM發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

    2.獨(dú)立設(shè)計(jì)原位芯片,掌握芯片核心工藝,擁有多項(xiàng)芯片patent。

    3.團(tuán)隊(duì)20余人從事原位液相TEM研究,可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)支持。



    技術(shù)參數(shù)

    類(lèi)別
    項(xiàng)目參數(shù)
    基本參數(shù)桿體材質(zhì)高強(qiáng)度鈦合金
    視窗膜厚標(biāo)配20nm(可升級(jí)10nm)
    適用電鏡Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi
    適用極靴ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP
    (HR)TEM/STEM支持
    (HR)EDS/EELS/SAED支持
    傾轉(zhuǎn)角

    α=±20°(實(shí)際范圍取決于透射電鏡和極靴型號(hào)

    液層厚度100~200 nm(自行組裝確定厚度)













    應(yīng)用案例


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    (a, b) TEM images of CeO2 and MoO3–CeOx;

    (c) elemental distributions of Mo, Ce, and O in MoO3–CeOx;

    (d, e) HRTEM images of MoO3–CeOx and size distribution of MoO3;

    (f) HRTEM image and FFT pattern of the CeOx support

    CeOx-supported monodispersed MoO3 clusters for high-efficiency electrochemical nitrogen reduction under

    ambient condition

    Journal of Energy Chemistry 56 (2021) 186-192.




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    In situ atomic resolution HRTEM observation on the behaviors of sulfobetaine molecules at the solid-liquid interface under external electric field and the formation of the waterproof layer around the

    negative electrode surface.

    Controlling Interfacial Structural Evolution in Aqueous Electrolyte via Anti-Electrolytic Zwitterionic Waterproofing.

    Adv. Funct. Mater. 2022, 2207140.




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    SAED patterns of NiS2/PtNi NWs (a) and Ni3S2/PtNi NWs (d),

    high-resolution HAADF–STEM images of NiS2/PtNi NWs heterostructures (b, c) and Ni3S2/PtNi NWs heterostructures (e, f)

    Microstrain Engineered NixS2/PtNi Porous Nanowires for Boosting Hydrogen Evolution Activity

    Energy Fuels 2021, 35, (8) 6928–6934.




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    Comparative illustration of graphite layers and atomic channels. Schematic illustration of (a) typical Li+ intercalation in graphite layers and (b) superdense Li diffusion in atomic channels.

    Efficient diffusion of superdense lithium via atomic channels for dendrite-free lithium–metal batteries

    Energy & Environmental Science 2022, 15 (1), 196-205.





























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