當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 樣品臺 > Volcano Series In Situ Stages > 掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)-基礎(chǔ)版
簡要描述：掃描電鏡加熱原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對樣品施加熱場控制，在原位樣品臺內(nèi)構(gòu)建熱場自動控制及反饋測量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EBSD等多種測試模式，實現(xiàn)從納米甚至原子層面實時、動態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2023-12-27訪 問 量： 2321產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
高分辨率和可靠性
1．MEMS微加工工藝，加熱芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達10nm，可達到掃描電鏡極限分辨率。
優(yōu)異的熱學(xué)性能
1．高精密紅外測溫校正，微米級高分辨熱場測量及校準，確保溫度的準確性。
2．超高頻控溫方式，排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響，測量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。
3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系，加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域，升溫降溫速度快，熱場穩(wěn)定且均勻，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動±1℃。
4．采用閉合回路高頻動態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±1 ℃。
5．多級復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計，控制加熱過程熱擴散，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實驗的高效觀察。
6．加熱絲外部由氮化硅包覆，不與樣品發(fā)生反應(yīng)，確保實驗的準確性。
| 類別 | 項目 | 參數(shù) |
| 基本參數(shù) | 臺體材質(zhì) | 高強度鈦合金 |
| 分辨率 | 掃描電鏡極限分辨率 | |
| 適用電鏡 | ZEISS | |
| EDS/EBSD | 支持 |
Synthetic scheme for thepreparation of ZIF-67 crystalsand GC
SEM images
ZIF-67 after heated
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